如何计算电压噪声:电压噪声的单位
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CLC2005内部噪声电压是多少?
1、例如噪声谱密度为3nV/Hz,如果功放带宽20kHz,那么落在这样带宽内的噪声电压 Un=(3nV/Hz)*20kHz=60uV。

求噪声衰减公式
1、点声源随传播距离增加引起的衰减值:AdiV=10lg[1/(4πr^2)]式中:AdiV——距离增加产生衰减值,dB;r——点声源至受声点的距离,m;(2)在距离点声源r1处至r2处的衰减值:AdiV=10lg(r1/r2)点声源声传播距离增加一倍,衰减值是6 dB。
2、以功北率计算讯噪比:S/N=10 log 以电压计算讯噪比:S/N=10 log 由于讯噪比和功率或者是电压成对数关系,要提高讯噪比的话便要大幅度地提高输出值和噪声值之比,举例来说,当讯噪比为100dB时,输出电压是噪声电压的一万倍,以电子线路来说,这并不是一件容易的事。
3、很简单呀,公式计算出的L2相当于预测点处的噪声值,以此可以判断预测点处的噪声是否超标。声源噪声值L1与L2的差值就是衰减值。即L1-L2=20lg(r2/r1)。L1可以直接用设备的噪声。
4、这个公式是按照点声源的辐射来计算声压级的衰减的。在点声源的的无限声场中,rr4处的声压级分别是rr3处声压级减6dB。如果想完全理解,只要你把这个公式推导一下,你自己就能解决了。
cmos噪声容限计算公式
1、该公式是VNH=VOH-VIH和VNH=VIL-VOL。CMOS噪声容限输入为高电平的噪声容限为VNH=VOH-VIH,输入为低电平的噪声容限是VNH=VIL-VOL。其中,VNH是噪声容限,VOH是高电平的电源电压,VIH是高电平的输入信号电压,VIL是低电平的电源电压,VOL是低电平的输入信号电压。
2、根据查询百度文库得知,噪声容限计算公式的形式为:N = 20log10 (V / V0),其中,N为噪声容限(单位为dB),V为信号的有效值(单位为V),V0为参考电平(一般取为1V)。噪声容限计算公式的意义是,当信号幅度为V时,在该信号级别下,噪声容限所对应的幅度值为V/10N/20。
3、~0.8V是低电平,4~5V是高电平,低电平的噪声容限就是(0.8-0)/2,之所以除以2,是因为噪声可能是正电压的也可能是负电压的,而噪声容限是容许信号电平上叠加的最大噪声信号。高电平也是如此。
4、对于TTL来说,一般的最高输出低电平是400mV,最高输入低电平是800mV,所以低电平噪声裕量是400mV;最低输出高电平是4V,最低输入高电平是0V,裕量也是400mV。实际上的TTL电路输出高电平都是5V左右,最低也是8V,因此裕量要稍微大一些。对于CMOS来说,相对复杂一些。
5、CMOS电平: ‘1’逻辑电平电压接近于电源电压,‘0’逻辑电平接近于0V。噪声容限很大 TTL电平: 输出高电平》4V,输出低电平《0.4V。在室温下,一般输出高电平是5V,CMOS代表互补金属氧化物半导体。其制造过程包括使用互补且对称的p型和n型MOSFET对来实现逻辑功能。
输入失调电压与输入噪声电压这两个怎么理解
1、首先,失调电压是一个直流,所以单位是以伏特为单位;噪声电压与频率有关,所以单位是v/sqrt(hz).其次,等效到输出端,两者计算思路一样,都是与噪声增益乘积。但不同的是,噪声电压是在频率上进行积分,所以你会发现书上会有一个信号带宽或者闭环带宽的问题。另外,对于看书。
2、你对输入失调电压的理解基本上是正确的。但是你对输入噪声等效电压的理解存在一定偏差。噪声是一个随机交流信号,包含全频率段的频率成分,而且它是运放固有的,无法通过在输入端加上相反的电压来消除。为了减小模拟电路的噪声,我们通常能做的有:1)选择噪声较小的运放。2)想办法减小模拟地的噪声。
3、输入失调电压VIO:输入失调电压定义为集成运放输出端电压为零时,两个 输入端之间所加的补偿电压。输入失调电压实际上反映了运放内部的电路对称性,对称性越好,输入失调电压越小。输入失调电压是运放的一个十分重要的指标,特别是精密运放或是用于直流放大时。
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